TeraSense係（xì）列太赫茲源（IMPATT二極管）以過渡區為0.6 um的矽雙漂移二極管為代表，安裝在銅散熱（rè）器上。雙（shuāng）漂移二極管中的層為（wéi）：重摻雜（p +）區域，中摻雜（p +）區域，中摻雜n區域和重摻雜（n +）區域。 （p +）和（n +）區域允許與外部電路形（xíng）成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生並維（wéi）持振（zhèn）蕩。
TeraSense係列太赫茲源（IMPATT二極管（guǎn））以過渡區為0.6 um的矽雙漂移二極管為（wéi）代表，安裝在銅散熱器上。雙漂移二極管中的層為（wéi）：重摻雜（p +）區域，中摻（chān）雜（zá）（p +）區域，中摻雜n區域和重摻雜（n +）區域。 （p +）和（n +）區域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依（yī）靠負電阻來產生並維持振蕩。
Terasense現在正在提供其太赫茲源的升（shēng）級（jí）版本，升級後的IMPATT二極管配有保護隔離器（qì），可顯著提高輸出功率的穩定性。從現在起，您可以訂購帶（dài）有（yǒu）開放式WR法蘭或可拆卸喇叭（bā）天線的IMPATT二極管。在100 GHz處優化頻率的太赫（hè）茲源的典型（xíng）輸出射頻功率可以達到2 W.
此外，TeraSense信號源還具有人體工程學設計和易用性（xìng），同時可（kě）以選擇提（tí）供帶有衰減器和開關部分的太赫茲發生器。
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Model |
輸出功率版本（可選） |
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100GHz |
＞80mW |
＞180mW |
＞400mW |
＞0.8W |
＞1.8W |
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140GHz |
＞30mW |
＞90mW |
＞180mW |
＞300mW |
＞600mW |
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200GHz |
＞40mW |
80mW |
＞200mW |
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263GHz |
＞10mW |
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300GHz |
＞10mW@290GHz |
＞20mW@280GHz |
＞40mW@280GHz |
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600GHz |
＞1.5mW@580GHz |
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標準調製（zhì）： |
TTL |
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可選天（tiān）線： |
喇叭式天線，法蘭（lán）輸出，增益：20-25dB |
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可選外調製： |
基頻：85-100GHz，140GHz；調製頻率（lǜ）：＜200MHz；開關時（shí）間：＜2ns；插損：＜1.5dB。 |
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備注： |
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