光（guāng）電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）

通過與客戶的密切合作（zuò），Albis開發（fā）了複雜的（de）裝配解決方案，可滿足對準精度（dù）、帶（dài）寬和布局複雜性方麵（miàn）的嚴格要求（qiú）。Albis雪（xuě）崩和pin光電二極管產品組合現在可以作為倒裝芯片安裝（zhuāng）或引線（xiàn）鍵合器件在定（dìng）製的2D或3D（環繞式）載體（tǐ）上提供。

PIN光電二極（jí）管芯片COC （ Chip on Carrier）

集成透鏡的112 Gbaud光電二（èr）極管（guǎn）芯（xīn）片|PS60X1

PS60X1是一個112 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共麵接觸布局（jú）的金（jīn）屬化陶瓷載體上。

帶有集成背（bèi）麵透鏡（jìng）的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結構針對（duì）112 Gbd PAM-4（400GbE和800GbE）單模電信（xìn）、微波光子鏈（liàn）路、光纖射頻以及測試和測量應用進行了優化。 它在1260至1620 nm的波長範圍內提供出色的（de）響應度（dù）和高速響應。

集成的背麵透鏡將（jiāng）入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實（shí）現簡單高（gāo）效（xiào）的（de）光耦合。

集成鏡頭的56 Gbaud光（guāng）電二極管 |  PS40X1

PS40X1是一個56 Gbaud光電二（èr）極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共麵接觸布局的金屬化陶瓷載體上。

帶（dài）有集成背麵透鏡（jìng）的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管（guǎn）結構針對56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光（guāng）纖射頻以及測（cè）試和測量應用進（jìn）行了優化。 它在1260至1620 nm的波（bō）長範圍內提供出色的（de）響應度和高速響應。

集（jí）成的背麵透鏡將入射光（guāng）束聚焦在頂部檢測區（qū）域，從（cóng）而實現簡單高效（xiào）的光耦合。

集成透鏡的400G光電二極管（guǎn）陣列 |  PS40X4

多個56 Gbaud光電二極管芯片（多通道56 Gbaud光電二極管芯（xīn）片）倒裝焊接到金屬化（huà）陶瓷載體上的組裝，具有共麵（miàn）G-S-G接（jiē）觸布局和750 µm的通道間距。 所有光電二極管都以高精度定位。

底部（bù）照明InGaAs引腳光電二（èr）極管結構（gòu）與集成（chéng）背側透鏡針對高達（dá）56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈（liàn）路、光（guāng）纖射頻以及測試和（hé）測量應用進行了優化.它在1260至1620 nm的（de）波長範圍（wéi）內提供（gòng）出色的響應度和高速響應（yīng）。

集成的（de）背麵透鏡將入射光束聚焦在頂部（bù）檢測（cè）區域，從而實現簡單高效的光耦合。

集成透（tòu）鏡的28 Gb/s光（guāng）電二極管芯片|  PS20X1

PS20X1是一個28 Gb/s光電（diàn）二極管（guǎn）芯片倒裝（zhuāng）芯片的組件，該芯片焊接到具有（yǒu）共麵接觸布（bù）局的（de）金屬化陶瓷（cí）載體上。

帶有集成背麵透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光（guāng）電二極管結構針對高達28 Gb/s的數（shù）據和電信應用進行了優化，並在1260至1620 nm的波長範圍（wéi）內提供了出色的響應度和（hé）高速（sù）響應。 光電二極管具有（yǒu）低電（diàn）容並在低偏置電壓下實（shí）現全速。

集成（chéng）的背麵透鏡將入射光束聚焦在頂（dǐng）部（bù）檢測區域，從而實（shí）現簡單高效的光耦合（hé）。

集成透鏡28 Gb/s光電（diàn）二極管陣列 |  PS20Xn

PS20Xn是多（duō）個PD20X1光電二極管芯片的組件，倒裝芯片焊接到具有共麵接觸布局的金屬化陶瓷載（zǎi）體上。 所有光電二極管都相對於對準特征進行了高精度定位，以保（bǎo）證（zhèng）±10 µm的芯片到芯片對（duì）準。

PD20X1是（shì）一款InGaAs/InP超高速光電二極管芯片，帶有集成背麵透鏡。 底部照（zhào）明p-i-n光電二（èr）極（jí）管結構針對（duì）高達28 Gb/s的數據和電信應用進行了優化，並在1260至1620 nm的波長範圍內提（tí）供出色（sè）的響（xiǎng）應度和高速響應。 光（guāng）電二極管具有低電容並在低偏置電壓（yā）下（xià）實現（xiàn）全速。

集成的背麵透鏡將入射光束聚焦在頂（dǐng）部檢測區域，從而實（shí）現簡（jiǎn）單高效的光耦合。

8 Gb/s光電二極管芯片|  PS05F1

PS05F1是（shì）安裝在陶瓷載體上的單（dān）個環繞式托架上 PD10F1光電二極管（guǎn）芯片的組件，帶有用於陽極和陰極連接的環繞式金（jīn）屬焊盤。

PD10F1是一款InGaAs/InP高速光電（diàn）二（èr）極管芯片，具有雙焊盤布局和大光學孔徑。 頂部照明光電二極管針對高達（dá）12 Gb/s的單（dān）模數據和電信應用進（jìn）行了（le）優化，並在1260至1620 nm的波（bō）長範圍內提供出色的響應度和（hé）高速響應。 在（zài）整個波長範圍內（nèi），增透（tòu）膜具有低反射率和高回波損耗。 光電二極管經過（guò）優化，可在大（dà）有源麵（miàn）積和低電容之間實現最佳平衡，並在低（dī）偏（piān）置（zhì）電壓下實現全速。

4通道倒裝芯片焊接監控光電二極管陣列 |PS05J4

四個InGaAs/InP底部照明光電二極管芯片的單片陣列，具有（yǒu）以標準250 μm間距分隔（gé）的大光學孔徑。 底部照明p-i-n光電二極管結構針對高達2.5 Gb/s的數據和電信中的低速監控應（yīng）用進行（háng）了優化（huà）。 它們在1260至（zhì）1620 nm的波（bō）長範（fàn）圍內提供出色的（de）響應度和高速響應（yīng）。

底部照明的4通道光電二極管陣列（liè）倒裝焊接在具有環繞金屬（shǔ）化的陶瓷底座上。

8通（tōng）道倒裝焊接平衡光電二極管陣（zhèn）列 |  PS05J8

八個InGaAs/InP底部照明光電二極管的單片陣（zhèn）列，具有120 µm的大光學孔徑，間（jiān）距為300 µm。 底部照明（míng）p-i-n光電（diàn）二極管（guǎn）結構（gòu）針對高達2.5 Gb/s的數據和電信中的低速監控應用進行了（le）優（yōu）化。 它們在1260至1620 nm的波長範圍（wéi）內提供（gòng）出色的響應度和高速響應。

底部照明的8通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環繞金屬化的（de）陶瓷底座上。 導線設計用於（yú）使用四對光電二極管進行平衡檢測。

APD光電二極管芯（xīn）片COC（ Chip on Carrier）

集（jí）成（chéng）透鏡28 Gb/s雪崩光電二極管芯片|  APD20D1

APD20D1是底部照明的28 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，帶有集成背麵透鏡。 這（zhè）種創新的APD提供低噪（zào）聲倍增和高增益帶寬產品，可實現高靈敏（mǐn）度28G接收（shōu）器的設計。 典型應用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成（chéng）的背麵透鏡將入射光束聚（jù）焦在（zài）頂（dǐng）部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。

APD倒裝焊接在金屬化陶瓷載體上，具有共麵GSG或Y形（xíng）接觸焊盤布局。 大焊盤允許放置多個鍵。

集成透鏡的25 Gb/s雪崩光電二極（jí）管芯片|APD20B1/C1

底部照（zhào）明的25 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯（xīn）片，集成背麵透鏡安裝在陶瓷載體上。 這種創新的APD提供（gòng）低噪聲倍增和高增益帶寬產品，可實現高靈敏度25G接收器的（de）設計。 典型應用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成的背麵透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而（ér）實（shí）現簡單高效的（de）光（guāng）耦合。

APD倒裝（zhuāng）焊接在金屬化（huà）陶瓷（cí）基板上，具有T形、共麵GSG或Y形觸點布局。 大（dà）焊盤允許放置多個鍵。