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InGaAs雪崩光電二極(jí)管
InGaAs APD可大大降低暗(àn)電流

該款InGaAs APD(雪崩光電二極管(guǎn))通過使用新的器件結構和加工處理流程,和現(xiàn)有產品相比,大幅度降低了暗電流。 G14858-0020AA可以用於(yú)距離測量,微弱光檢測(cè)等。

品牌:Hamamatsu 

型(xíng)號:G14858-0020AA

產品特點
· 低暗電流
· 低電容
· 高靈敏度
典(diǎn)型應用
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產品介(jiè)紹
InGaAs APD可大(dà)大(dà)降低暗電流

該款InGaAs APD(雪崩光電二極管)通過使用新的器件結構和加(jiā)工處理流(liú)程,和現有產品相比(bǐ),大幅(fú)度降低了暗電流。 G14858-0020AA可以用於(yú)距離測量,微弱光(guāng)檢測等。


產品型號及主要指標
Model G14858-0020AA
象(xiàng)元數 1
感(gǎn)光麵積 φ0.2 mm
封裝 Metal
封裝類型 TO-18
光譜響應範圍 950 to 1700 nm
峰值(zhí)波長(典型值) 1550 nm
靈敏度(典型值) 0.8 A/W
暗電流(最(zuì)大值) 50 nA
截止(zhǐ)頻率(典型值(zhí)) 900 MHz
結電容(典型值) 2 pF
擊穿(chuān)電壓(典型值) 65 V
擊穿電壓溫度係數(典型值) 0.1 V/℃
測試條件 Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1


光譜響應

2.png

外形尺寸(單(dān)位:mm)

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