*1:Vd 是漏電流為 1 µA 時的 AD 偏置電（diàn）壓。 Vb 的電壓（yā）為 300 V 至 500 V。

 *2：在-8 kV的（de）光電（diàn）陰極電壓和Vb（擊穿電壓）-10 V的AD偏置電壓下。

 *3：在單光子狀態和光電陰極全照度（dù）下，指定為 FWHM（Full Widh at Half Maximum）。     這些閾值包括大約 30ps 的電子設備抖動。 

 *4：在 500 nm

外形尺寸（單位：mm）