低（dī）壓驅動（dòng）電光調製器

橫向場ADP、KD*P和铌酸鋰類似物調製器

ADP

ADP調製器可以被設計為在從UV到可見光直至900nm左右的所有波長下工作，並且（qiě）基本上（shàng）不受壓電諧振的（de）影響。這種調製器類型具有高度（dù）的溫（wēn）度（dù）穩定性，但如果需（xū）要長期直流振幅，則應在恒溫環境（jìng）中運行。調製頻率不受器件特性的限製，而受其電容的限製（zhì），因此取決於所（suǒ）使用的驅動電路。寬帶AR塗層用於所有組件，或者我們可以（yǐ）提供流體填充（chōng）版本，包括（kuò）超高傳輸類型。

ADP設計（jì）的（de）一個特點（diǎn）是，由於光學傳播不是沿著（zhe）對稱軸進行的，所以普通偏（piān）振（zhèn）光會“走光”，因此有必要使用四個匹配的晶體，適當地定向，以補償走光和靜態雙折射。這確（què）實會對最大傳輸產生輕微影（yǐng）響，因為與其他調製器類型相比，晶體表麵的數量是（shì）前者的兩倍。

KD*P

橫向KD*P電光（guāng）調（diào）製器能夠提（tí）供比ADP型（xíng）更高的熱（rè）穩定性，這主要是因為它（tā）們不需要相同的四晶體排列。透射範（fàn）圍也擴展到（dào）約1200nm，並（bìng）且其消光比也比從ADP對應物獲得的消光比更好。然而，它確實顯示（shì）出（chū）壓電特性（xìng），因此對於數百kHz到低MHz範圍內的高頻調製來說不是（shì）一個（gè）很好的選擇，盡管使用諧振阻尼技術可以提高這裏的性能。這些設備也可（kě）以提供幹燥的適當AR塗層或流（liú）體填充，包括超高傳輸版本。

铌酸（suān）鋰

铌酸鋰是一種高（gāo）溫生長的光學材料，與ADP和KD*P晶體不同，它不溶於水。盡管它在500nm以（yǐ）下（xià）（以及高達~800nm，請注意僅（jǐn）使用低光功率）無法安全運行，但在該範（fàn）圍以上，它（tā）具有良（liáng）好的透（tòu）明度，可達~4µm。為了獲得最佳的（de）熱穩定性，最（zuì）好使用Z形切割晶體，這是我們的（de）標準設計，並（bìng）且沒有需要補償的靜態雙折射。然而，使用雙折射補償X切割設計可（kě）以獲得更高的靈敏度。這種切割也用於不需要這種補償的相位調製器。

不幸的是，铌酸鋰是非常強的壓電性的，這會限製其在需要良好（hǎo）時間性能的某些應用中的使用。電池幹燥後在晶體和窗戶上（shàng）塗上合適的AR塗層（盡管技術上並不總是需（xū）要，但這些塗層用於密封電池以防灰塵等）

應用

通過使用較低的工作電壓，可（kě）以更容易地找（zhǎo）到具有足夠帶寬的驅動器。對於EM200係列調製器，M250通常足（zú）以提供完整的調製（但最長波長僅為~700nm）。對於較大的EM400和EM600設備，可以使用較新的M1000甚至M2500放大器，但（dàn）這些放大器的帶寬確實略為有限。原理應用通常是需要真正的模擬調製（任意波形）的任何地方，例如產生任（rèn）意偏振旋轉（需要額外的波片來保持線性偏振）。它們（men）還可用於從需要脈衝脈衝強（qiáng）度控製的CW激光源產生脈衝輸出，這是伴隨放大器可以輕鬆提（tí）供的。