超輻射發光二極管（SLD）是一種半導體器件（jiàn），當正向偏置時，會在寬光譜範圍內產生放大的自發輻射。與激光器不同，SLD具有較寬的光譜，使其（qí）適用（yòng）於各（gè）種應用。

SLD缺乏實現（xiàn）激光作用的反饋。光學反（fǎn）饋的抑製是通過傾斜的波導和反射（shè）率小於0.001%的抗反射塗層實現的，這可以顯著減少光譜波紋。SLD的峰值波長和強（qiáng）度（dù）取決於活性材料成分（fèn）和注入電（diàn）流。

Innolume製（zhì）造（zào）的某些SLD具有（yǒu）高輸出光功率，超過250mW，低光譜波紋和寬光譜。光譜的寬度很重要，因為它會影響相幹長度。更寬（kuān）的頻譜寬度對（duì）某些應用是有益的。

SLD具有（yǒu）高度的空間相幹性（xìng），可（kě）以有效地耦合到單模光纖中。

Innolume提供各種封裝選項，提供14針模塊，可提供PM/HI光纖類型、鬆套管和光電二極管。

此外，Innolume有能力提供芯片安裝在子基座上、芯片安裝在散熱器上（如C-Mount）或TO封（fēng）裝的配置（zhì）。

超輻射發光二極管（SLD）的關鍵特性：

高輸出（chū）功率：能夠實現超過250mW的輸（shū）出光功率（lǜ）。

廣譜：某（mǒu）些Innolume SLD提供的光譜寬度超過100nm。

反饋抑製：傾斜（xié）波（bō）導和抗反射塗層（反射率<0.001%）可減少光學反饋並最大限度地減少光譜波紋。

封裝選項：提供（gòng）各種封裝配置，包括14引（yǐn）腳模塊和芯片放置選項（xiàng），如子（zǐ）基座、散熱器或TO can封裝。

定製：Innolume有能力根據客戶要求生產具有指定波長（zhǎng）和光譜寬度的SLD。