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應(yīng)用(yòng)電光調製器實現邊帶調(diào)製 | iXblue
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iXblue-應用電光(guāng)調製器實現邊(biān)帶調製

LiNb03铌酸鋰電光調製器因其(qí)高寬帶,低損耗,全波段,長時間可靠性等特性,使其成為高速光通信(xìn)和模擬通信的首選器件。除了我們熟(shú)知的強度調製和(hé)相位調製這兩種方式以外,近些年來,對產生載波抑製-單邊帶(Carrier Suppression-Single Side Band, CS-SSB)的需求越來越多(duō)的引起人們的注意。在這個應用指南中,我們將介紹(shào)幾種CS-SSB的產(chǎn)生方式以及其優缺點。

產生邊帶進行移頻,掃頻或者光譜展寬等應用,可以通過強度或者相位調製器來實(shí)現(xiàn),不同的要求則(zé)需要選擇不同類(lèi)型的調製器。一般來說,我們分成2種:保留載波和抑製載波(入射光(guāng)頻率)。

在保留載波的情況下,最簡單(dān)也是最常用(yòng)的操作就是通過相位調製器(qì)產生邊帶, 舉例如下圖,射頻信(xìn)號頻(pín)率為14.25GHz, 根據驅動電壓強度大小,可以產生10多階邊帶,將載波光譜展寬至400GHz數量級, 入射的載波(bō)頻率也被保留。

下麵我們主要是討論載波抑製-邊(biān)帶(dài)調製的方式,更準(zhǔn)確的(de)說是載波(bō)抑製-單邊帶調製(CS-SSB)的幾種實(shí)現方式。

相位調(diào)製器實現CS-SSB

從簡單理論出發,入射光經過相位調製(zhì)器後(hòu),其電場表達如下:

其輸出(chū)光譜(pǔ)服從貝塞爾函數分布,如下圖,藍色代表(biǎo)載波,其他依次為±1±2±3階邊帶,輸(shū)出光譜強度隨調(diào)製深度的變(biàn)化(Modulation index),此調製深度也可等效理解(jiě)為調製器的驅動電壓。


從(cóng)上圖(tú)可以看出(chū),當調(diào)製深度為2.4的時候,載波消失,請參考微信(xìn)文章電光調製(zhì)器半波電壓(yā)隨頻(pín)率的變化(huà)CS-SSB情況下,下圖(tú)為相位調製(zhì)器(qì)輸出光譜的模擬計算結果,載波(bō)在”0”所處位置消失,±1階,±2階和±3階邊帶清晰(xī)可見,左右對稱分布。


強度調製器實(shí)現CS-SSB


當強度調製器偏壓工作點控製在Min點時候(請參考微信文章“iXblue偏壓控製器產品介紹),調製(zhì)器輸出電場貝塞爾函(hán)數如下(xià):

可以看出,輸出光強存(cún)在1階和3階光譜,強度分別為:

CS-SSB情(qíng)況下(xià),下圖為強度調製器在Min點時的輸出光譜的模(mó)擬計算結果,載(zǎi)波在”0”所(suǒ)處位置消失,±1階邊帶清晰可(kě)見,±3階邊帶少許(xǔ)出現。

 

通過上(shàng)麵的介(jiè)紹,我們可以(yǐ)看(kàn)出,無論強(qiáng)度還是相位調製(zhì)器均可實現載(zǎi)波抑製-多邊帶(dài)產生,再經過光纖光柵(FBG)等方(fāng)式濾波,去掉(diào)不需要的邊帶而隻保留其中一個(gè),這樣就可以實現載波抑(yì)製-單邊帶調(diào)製。如果比較這兩種方式:

1. 相位調製器最為簡單易用(yòng),成本最低。而強度調製器需要偏(piān)壓控製器,增加成本,體積和操作的困難

2. 相位調製器所需的驅動電壓高於(yú)強度調(diào)製器,在高頻應用時(例如>30GHz)可能很難(nán)找到合適的驅動放大器(qì)輸(shū)出10Vpp以上的電壓

3. 強度調製器所產生的1階邊帶強度高於相位(wèi)調製器(見下(xià)表),因為相位調製器有部(bù)分強度分布在其他階邊帶上

 

強度(MZM)和相位(PM)調製器在載波抑(yì)製情(qíng)況下,調(diào)製深度(Modulation index),調製器驅動電壓(Peak-to-peak voltage),載波ω0, ±1階(ω0±Ω),±2階(ω0±2Ω)和±3階(ω0±3Ω

以上兩種(zhǒng)方式,如果僅需要單邊(biān)帶,均需要FBG過濾掉不(bú)希望的多階(jiē)光譜。而FBG多為定點頻率和帶寬,這無形中限製了這種方案在掃頻方麵(miàn)的應用(yòng)。而且,FBG一般較好的投(tóu)射(shè)/反射率<99%,僅僅相當於20dB的載波或邊帶抑製比,在一(yī)些特定應用中,希望得到更高的抑製比時這兩種方案就顯得無能為力(lì)了。為了解決上麵的(de)問題,一種新的(de)載波(bō)抑(yì)製-單邊帶調製方案就應運而生了。


IQ調製器實(shí)現CS-SSB

I&Q調製器很早被廣泛應用於高速率的中遠(yuǎn)程電信網絡,如QPSKQAM等。從IQ調製器的結構來(lái)看,2個子M-Z幹涉(shè)儀被嵌套在第三個M-Z幹涉儀裏麵。我們可以證明,當三個子M-Z幹涉儀選擇適當DC偏置,以相(xiàng)同的微波射頻信(xìn)號注入(rù)兩個子(zǐ)M-Z幹涉儀並控製他們之間的相位延遲,可以實現高抑製比的CS-SSB。這種方式越來越多的被(bèi)用在微波光子學,OFDM, 原子物理(倍頻到780nm)等應用中。

iXblueMXIQER-LN-30是一(yī)款高帶寬,低插損,高抑製比的雙平行M-Z調製器,iXblue 專利技術“Magic Junction” (patent n° US2008193077)保證高達30dB以上的載波和邊帶(dài)抑製比。


從理論出發,調製器輸出電場貝塞爾函數如(rú)下:

正一階邊帶(dài)強度(dù)為:

負三階邊帶強度為:

CS-SSB情況下,下圖為IQ調製(zhì)器的輸出光譜的模擬計算結果,載波在”0”所處位置消失,+1階清晰(xī)可見,-3階光譜少許出現。


通過前麵介(jiè)紹,我們可以總結出IQ調製器與強度和相位在CS-SSB應用的優勢(shì)與不(bú)足(zú)(見下表):

1. IQ調製器方式可以無需FBG便可實現單邊帶調製

2. IQ調製器方式可以實(shí)現任意頻率的移動或(huò)者掃頻,而不受FBG中心波長和帶寬的限製

3. IQ調製器方式可以實(shí)現>30dB以上的抑(yì)製比,比常規FBG可實現的20dB要高出很多。

4. IQ調製器(qì)極難製造,而且需要IQ兩路驅動器,因此成本比強度和相位調製器方案高出很(hěn)多。

5. IQ調製器要匹配更多的電(diàn)子器件,因為對電子(zǐ)係統的匹(pǐ)配程度要求比強度調製器更高。


以上我們介紹了3種不同類型的調製器實現單邊帶調製器的方法,除此(cǐ)以外還有其他方式,例如強度+相位調製器(qì),雙(shuāng)驅動調製器等,但是與前麵介紹的方法比較,其並無明顯優勢,所以此處並不逐一介紹。


強度(MZM),相位(PM)IQ(I&Q)調製器在載波抑製情況下,調製深度(Modulation index),調製(zhì)器驅動電壓(Peak-to-peak voltage),載波ω0, ±1階(ω0±Ω),±2階(ω0±2Ω)和±3階(ω0±3Ω

為了實(shí)現(xiàn)CS-SSB,調製器所需要的工作電壓一般較高,參考微(wēi)信文章電光調製器半波電壓隨頻率的關係在高(gāo)頻和掃頻應用時,需(xū)要調製器的驅動(dòng)電壓全頻段的高增益和平坦度,因此,我們(men)專門開發了DR-AN-10-HODR-AN-20-HO驅動,以及保證長時(shí)間抑製比穩定性的偏壓控製器MBC-IQ-LAB

DR-AN-20-HO 常規指(zhǐ)標(biāo)

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